盛剑微电子申请铜钼蚀刻液组合物及其制备方法和应用专利，简化蚀刻步骤
时间：2025-09-03 20:06:19 阅读：
国家知识产权局信息显示，上海盛剑微电子有限公司申请一项名为“铜钼蚀刻液组合物及其制备方法和应用”的专利，公开号 CN120519863A，申请日期为 2025 年 06 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种铜钼蚀刻液组合物及其制备方法和应用，涉及蚀刻液技术领域。原料按质量百分比计，包括：过氧化氢10.00wt%~20.00wt%、酸性组合物2.00wt%~5.00wt%、缓蚀组合物0.10wt%~1.10wt%、络合剂0.10wt%~1.00wt%和过氧化氢稳定剂1.00wt%~4.00wt%，余量为水。由上述配方形成的铜钼蚀刻液组合物，能够同时蚀刻铜和钼及其合金金属层，简化蚀刻步骤，提高生产效率。缓蚀组合物包括聚天冬氨酸和十六烷基三甲基溴化铵，二者协同可起到缓蚀的作用，随着铜离子和钼离子浓度的增加，能够保证蚀刻速度的稳定性和良好的蚀刻形貌。
天眼查资料显示，上海盛剑微电子有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海盛剑微电子有限公司参与招投标项目1次，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可7个。
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